MOSFET體二極管的反向恢復特性與橋式電路損耗的關(guān)系
在逆變器電路和Totem Pole型功率因數(shù)改善（PFC）電路等具有2個以上MOSFET的橋式電路中，由于流過上下橋臂的電流會使導通損耗增加。
該現(xiàn)象受開關(guān)MOSFET和對應橋臂MOSFET的體二極管（寄生二極管）的反向恢復特性影響很大。因此，在橋式電路中，體二極管反向恢復特性優(yōu)異的MOSFET優(yōu)勢明顯。
什么是雙脈沖測試？
雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評估的一種測試方法。該測試不僅可以評估對象元件的開關(guān)特性，還可以評估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復二極管（FRD）等的反向恢復特性。
因此，對導通時發(fā)生反向恢復特性引起損耗的電路的評估非常有效。雙脈沖測試的基本電路圖如下所示。
另外，當該電路的Q1是續(xù)流用MOSFET、Q2是驅(qū)動用MOSFET時，雙脈沖測試的基本工作如下表所示?；竟ぷ髦饕梢苑譃棰?、②、③這三種。
當定義脈沖發(fā)生器的電壓為VPulse、流過電感的電流為IL、Q2的漏源電壓為VDS_L、Q2的漏極電流為ID_L時，各模式的工作、電流路徑和波形如表所示。
在工作③中，在Q2導通時可以觀測到短路電流（ID_L紅色部分）。這是由Q1體二極管的反向恢復特性引發(fā)的。
當體二極管從ON轉(zhuǎn)換為OFF時，必須將ON時所蓄積的電荷進行放電。此時，設從體二極管釋放出的電荷量為Qrr，釋放電荷所產(chǎn)生的電流峰值為Irr，Q2的功率損耗為Pd_L，則Q2的導通動作可以如右圖所示。ID_L的三角形面積為Qrr、三角形的高為Irr。
一般情況下，當續(xù)流側(cè)元件Q1的體二極管反向恢復特性較差、Qrr也較大時，驅(qū)動側(cè)元件Q2的導通損耗會增加。因此，在像逆變器電路這樣的流過再生電流的應用和Totem Pole型PFC電路中，需要考慮到體二極管的反向恢復特性對損耗有較大的影響。
關(guān)鍵要點:
在具有2個以上MOSFET的橋式電路中，當MOSFET的體二極管反向恢復特性較差時，導通損耗會增加。
雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評估的一種測試方法。
雙脈沖測試不僅可以評估對象元件的開關(guān)特性，也可以評估體二極管和外置快速恢復二極管等的反向恢復特性。
雙脈沖測試對導通時發(fā)生反向恢復特性引起損耗的電路的評估非常有效。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280